產(chǎn)品分類
PVT法長晶爐——電阻爐
所屬分類：
化合物晶體設(shè)備
PVT法單晶生長設(shè)備
概要：
適用領(lǐng)域：單晶生長 Relevant Industries: ?Single Crystal Growth 適用材料: ?SiC、AIN Suitable for Processing: ?SiC (Silicon Carbide), AlN (Aluminum Nitride) 晶圓尺寸: ?12/8 英寸 Wafer Size: 12/8 inch
關(guān)鍵詞：
PVT法長晶爐——電阻爐
PVT法長晶爐——電阻爐
產(chǎn)品應(yīng)用/Product Applications
適用領(lǐng)域：單晶生長
Relevant Industries: Single Crystal Growth
適用材料: SiC、AIN
Suitable for Processing: SiC (Silicon Carbide), AlN (Aluminum Nitride)
晶圓尺寸: 12/8 英寸
Wafer Size: 12/8 inch
技術(shù)指標(biāo) /Technical Parameters
制程溫度范圍：2400°C
Process Temperature Range: 2400°C
加熱方式：感應(yīng)/電阻
Heating Method: Induction/Resistance
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PVT法長晶爐——感應(yīng)爐
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