HVPE 法單晶生長設備 —立式
所屬分類：
化合物晶體設備
HVPE法單晶生長設備
概要：
適用領域：單晶生長、外延生長 Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth 適用材料: ?GaN（單晶）、AIN（單晶/外延）、Ga2O3（外延） Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial) 晶圓尺寸:12/ 8/6 英寸 Wafer Size: 12/8/6 inch
關鍵詞：
HVPE外延爐——立式
HVPE 法單晶生長設備 —立式
產品應用/Product Applications：
適用領域：單晶生長、外延生長
Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth
適用材料: GaN（單晶）、AIN（單晶/外延）、Ga2O3（外延）
Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial)
晶圓尺寸:12/ 8/6 英寸
Wafer Size: 12/8/6 inch
技術指標 /Technical Parameters：
加熱溫度：1100℃、1600℃（高溫HVPE)
Heating Temperature: 1100℃, 1600°C (high-temperature HVPE)
加熱方式：電阻
Heating Method:Resistance
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PVT法長晶爐——電阻爐
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